一、製造流程
Etch 蝕刻 ─ 分 dry 乾蝕刻和 wet 濕蝕刻，etch rate 蝕刻率和 selectivity 選擇比是重要的指標。
Photograph 黃光 ─ coating 光阻塗佈，photo 曝光要素有 energy 能量 focus 焦距，FEM (Focus Energy Matrix) 是前期必要確認，develop 顯影。
Thin Film 薄膜 ─ 分 PVD 物理氣相沉積和 CVD 化學氣相沉積，重要指標有 thickness 膜厚、uniformity (U %) 均勻度、conformity 平坦度。
Diffusion 擴散 ─ 需要控制 implant 佈植的能量、dose 劑量、tilt, twist angle 角度。
CMP 化學機械研磨 ─ down force 晶圓背面施加下壓力，polish pad 旋轉墊，slurry 研磨劑，module 模組，alignment 對準量，spec 製程規格，depth 深度，AEICD 開口大小，rework 重新加工
二、機台設備
Epuipment 機台 ─ sub equipment 子設備，chamber 腔體，Loadport 進料口，recipe 製程的配方，job process 工作流程，wafer 晶圓片。
Scrubber 刷洗機 ─ 會產生 particle 顆粒，by-product 副產物，PM 機台例行性保養。
Pilot Run 試跑 ─ lot 分批 (多片 wafer 組成)，batch 批次 (混合幾個 lot 後的大批)，single wafer 單片多晶圓反應室。
三、物料
Substrate 基板 ─ Si substrate 矽基板，SiC substrate 碳化矽基板，GaN substrate 氮化鎵基板。
Laser Mark .雷射標記 ─ 用雷射在 wafer 刻上 Lot ID 分批辨識碼。
Season Wafer (Dummy Wafer) 暖機片 ─ (陳化處理) 暖機用的 wafer，idle 閒置。
Monitor Wafer 控片 ─ 定期檢測機台參數。
FOUP (Front Opening Unified Pod) 前開式晶圓傳送盒 ─ 運送晶圓的容器，一盒最多可裝 25 片 wafer，一個 FOUP 就是一個 lot。
Cassette 晶舟 ─ 放晶圓的架子。
Reticle 標線 ─ 把 mask 光罩上的圖案轉印到光阻上
四、工作場景
Inline Monitor 監控貨批的參數 ─ 貨批即時製造直接相關的資料。
Offline Monitor 非貨批監控 ─ 設備機台的監控數據
Daily Monitor 日常監控 ─ 每日監控機台的狀況
FDC (Fault Detection and Classification) 故障偵測與分類 ─ 即時監控機台的狀況，以便早期發現機台異常。
SPC 統計製程管控 ─ 監控生產過程的穩定性，超過管控上下限會觸發 hold lot。
Hold Lot 貨批鎖住 ─ 把異常的貨批鎖住，等確認沒問題後就可以 release lot，future hold 提早把貨批設定在某站點。
PWQ (Process Window Qualification) 製程窗口驗證 ─ 用缺陷檢測方法來確定最佳曝光條件。
Split 分拆 ─ 把貨批拆分出 child lot 子批，測試完再 merge 合併回 mother lot 母批。
PCRB (Process Change Review Board) 製程變更檢討會議。
MO (Miss Operation) 人為操作錯誤 ─ 例如該被 hold 的 lot 沒被 hold 到。
BKM (Best Known Method) 最佳已知方法 ─ 有經過驗證的最佳解法。
OCAP (Out of Control Action Plan) 失控行動計畫 ─ 例如測試超出規格，後續應進行的行動。
MRB (Material Review Board) 材料審查會議。
WAT (Wafer Acceptance Test) 晶圓驗收測試
testkey 測試鍵
Scribe Line 晶圓切割道
CP (Chip Probing) 晶片探測 ─ wafer level 把壞的 Die 挑出來
FT (Final Test) 最終測試 ─ packaged chip level 把壞的 Chip 挑出來
這裡沒有完整記錄這影片解說部分，只主要針對英文單字翻譯紀錄。萊斯特解說時也不是每一項都是正確的，例如 FOUP 內的 wafer，第一片是在最底下而非在最上面，不過仍要感謝他系統性蒐集這麼多專業術語。
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